Характеристики питания- Потребляемая мощность, не более: 5 Вт
- Питание модуля:
- Номинальное напряжение питания: 5 ±5 % Вольт
- Потребляемый ток: 1 Ампер
|
Конструкция (модуль)- Исполнение: Для тяжелых условий
- Конструктив: 3U
- Масса: 270 грамм
- Длина: 167 мм
- Ширина: 100 мм
- Толщина: 13 мм
|
Устойчивость к внешним воздействующим факторам- Повышенная влажность воздуха при температуре +35°С, не более: 98 %
- Пониженное атмосферное давление: 5 мм рт.ст.
- Синусоидальная вибрация в диапазоне частот:
- Диапазон частот: от 5 до 2000 Гц
- Амплитуда виброускорения: 147 м/с2
- Удар одиночного действия:
- Амплитуда ускорения: 392 м/с2
- Длительность удара: 0 мс
- Рабочая температура:
- Рабочая температура при кондуктивном отводе тепла: от -40 до 80 °С
- Рабочая температура при воздушном охлаждении: от -40 до 85 °С
|
Системная магистраль- Магистраль VME:
- Поддерживаемые форматы обмена VME: A24/D32
- Поддерживаемые форматы обмена VME: A24/D16
- Поддерживаемые форматы обмена VME: A16/D8(EO)
- Поддерживаемые форматы обмена VME: A16/D16
- Вольтаж: 5 Вольт
- Типовая разрядность данных: 32 бит
- Соответствие стандарту: ANSI/IEEE STD 1014-1987 IEC 821 and 297
- Тип синхронизации: Асинхронная
- Мультиплексирование адреса/данных: нет
- Максимальная длина: 1 м
- Типовое количество проводников: 160
- Максимальное количество устройств на шине: 21
- Типовая разрядность адреса: 24 бит
- Число линий прерываний: 7
|
Память- FLASH-память:
- Емкость: 8 Мбайт
- Назначение: до 32 Мбайт, в зависимости от варианта исполнения
- NVRAM (энергонезависимое ОЗУ):
- Назначение: для хранения информации о текущей структуре данных в массиве flash-памяти с целью организации рестарта вычислительного процесса при кратковременных отказах электропитания и сбоях
- Емкость: 4 кбайт
|