Характеристики питания- Потребляемая мощность, не более: 10 Вт
- Питание модуля:
- Потребляемый ток: 2 Ампер
- Номинальное напряжение питания: 5 ±5 % Вольт
|
Конструкция- Исполнение: Для тяжелых условий
- Конструктив: 3U
- Масса: 300 грамм
- Длина: 167 мм
- Ширина: 100 мм
- Толщина: 16 мм
|
Характеристики надежности- Назначенный ресурс: 700 часов
- Назначенный срок службы: 12 лет
|
Устойчивость к внешним воздействующим факторам- Повышенная влажность воздуха при температуре +35°С, не более: 98 %
- Синусоидальная вибрация в диапазоне частот:
- Диапазон частот: от 5 до 2000 Гц
- Амплитуда виброускорения: 98 м/с2
- Удар одиночного действия:
- Амплитуда ускорения: 196 м/с2
- Длительность удара: 0 мс
- Рабочая температура:
- Рабочая температура при кондуктивном отводе тепла: от -40 до 70 °С
|
Системная магистраль- Магистраль VME:
- Режим работы устроийсва на шине: Master
- Вольтаж: 5 Вольт
- Типовая разрядность данных: 32 бит
- Соответствие стандарту: ANSI/IEEE STD 1014-1987 IEC 821 and 297
- Тип синхронизации: Асинхронная
- Мультиплексирование адреса/данных: нет
- Максимальная длина: 1 м
- Типовое количество проводников: 160
- Максимальное количество устройств на шине: 21
- Типовая разрядность адреса: 24 бит
- Число линий прерываний: 7
|
Вычислительное ядро- Поддерживаемая ОС: QNX
- Intel Atom E660T:
- Архитектура: X86
- Тактовая частота ядра: 1300 МГц
- Количество ядер: 1
- Ёмкость кэш-памяти 1-го уровня: 56 кбайт
- Ёмкость кэш-памяти 2-го уровня: 512 кбайт
- Разрядность процессора: 32 бит
|
Память- FLASH-память:
- Емкость: 128 Мбайт
- Организация: NOR
- DDR2 SDRAM:
- NVRAM (энергонезависимое ОЗУ):
|
Интерфейсы |
Внешние соединители02011602101- Длина: 88 мм
- Ширина: 11 мм
- Толщина: 6 мм
- Тип (вилка/розетка): Вилка
- Тип (прямой/угловой): Угловой
- Число рядов: 5
- Число контактов: 160
- Шаг: 0 мм
- Сопротивление контакта: 0 мОм
- Сопротивление изоляции: 10 ГОм
- Материал корпуса: LCP, термопластик
- Материал контактов: медный сплав
- Рабочий ток на контакт: 1 Ампер
|